采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
双晶硅
上传时间： 2014-12-23
上传用户：SimonQQ
％直接型到并联型的转换 ％ ％[C,B,A]=dir2par(b,a) ％C为当b的长度大于a时的多项式部分 ％B为包含各bk的K乘2维实系数矩阵 ％A为包含各ak的K乘3维实系数矩阵 ％b为直接型分子多项式系数 ％a为直接型分母多项式系数 ％
上传时间： 2014-01-20
上传用户：lizhen9880
直接型到级联型的形式转换 ％ [b0,B,A]=dir2cas(b,a) ％b 为直接型的分子多项式系数 ％a 为直接型的分母多项式系数 ％b0为增益系数 ％B 为包含各bk的K乘3维实系数矩阵 ％A 为包含各ak的K乘3维实系数矩阵 ％
上传时间： 2013-12-30
上传用户：agent
B树及其B+树的实现代码，支持模版（数据类型，M值）
上传时间： 2016-02-22
上传用户：jhksyghr
欧几里德算法：辗转求余 原理: gcd(a,b)=gcd(b,a mod b) 当b为0时,两数的最大公约数即为a getchar()会接受前一个scanf的回车符
上传时间： 2014-01-10
上传用户：2467478207
//9488定时器B功能测试 9488定时器B功能测试B:DAMI调试通过: 9488 8位定时器B的使用 有关的I/O为三个:TBPWM(输出)(P1.0) 模式有:间隔定时功能,PWM模式 有定时中断:定时器B溢出中断
上传时间： 2017-06-01
上传用户：ryb
1.有三根杆子A,B,C。A杆上有若干碟子 2.每次移动一块碟子,小的只能叠在大的上面 3.把所有碟子从A杆全部移到C杆上 经过研究发现，汉诺塔的破解很简单，就是按照移动规则向一个方向移动金片： 如3阶汉诺塔的移动：A→C,A→B,C→B,A→C,B→A,B→C,A→C 此外，汉诺塔问题也是程序设计中的经典递归问题
上传时间： 2016-07-25
上传用户：gxrui1991
给定两个集合A、B，集合内的任一元素x满足1 ≤ x ≤ 109，并且每个集合的元素个数不大于105。我们希望求出A、B之间的关系。 任 务 ：给定两个集合的描述，判断它们满足下列关系的哪一种： A是B的一个真子集，输出“A is a proper subset of B” B是A的一个真子集，输出“B is a proper subset of A” A和B是同一个集合，输出“A equals B” A和B的交集为空，输出“A and B are disjoint” 上述情况都不是，输出“I m confused!”
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上传时间： 2017-03-15
上传用户：yulg
晶闸管的主要电参数 晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降 VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
上传时间： 2018-10-12
上传用户：luyh1982
